Caracteristicile depunerii chimice în vapori (CVD).

Caracteristicile depunerii chimice în vapori (CVD).

(1) O mare varietate de sedimente: poate depune peliculă metalică și film nemetalic, poate pregăti, de asemenea, folie de aliaj multicomponentă, după cum este necesar, precum și strat ceramic sau compus; (2) Reacția CVD se efectuează la presiune atmosferică sau vid mic. Proprietatea de difracție a acoperirii este bună. Orificiul adânc și orificiile fine ale suprafeței cu forma complexă sau piesa de prelucrat pot fi acoperite uniform. (3) Se poate obține un strat de film cu puritate ridicată, compactitate bună, stres rezidual mic și cristalizare bună. (4) Deoarece temperatura de creștere a filmului este mult mai mică decât punctul de topire al materialului film, se poate obține un strat de film cu puritate ridicată și cristalizare completă, ceea ce este necesar pentru unele filme semiconductoare; (5) Compoziția chimică, morfologia, structura cristalului și dimensiunea granulelor de acoperire pot fi controlate eficient prin ajustarea parametrilor de depunere; (6) Echipament simplu, operare și întreținere ușoară; (7) Temperatura de reacție este prea mare, în general la 850-1100 grade, multe materiale ale matricei nu pot rezista la temperatura ridicată a CVD. Temperatura de depunere poate fi redusă prin tehnologie cu plasmă sau cu laser.

Compania IKS PVD, mașină de acoperire decorativă, mașină de acoperire unelte, mașină de acoperire DLC, mașină de acoperire optică, linie de acoperire în vid PVD, proiectul la cheie este disponibil. Contactați-ne acum, e-mail:iks.pvd@foxmail.com